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Equivalente paramétrico


Diotec Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $0.16000
Hoja de datos

Equivalente paramétrico


Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
En stock: 0
Precio por unidad : $0.11000
Hoja de datos
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Orificio pasante TO-92-3
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2N5551 TIN/LEAD

Número de pieza de DigiKey
1514-2N5551TIN/LEAD-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
2N5551 TIN/LEAD
Descripción
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Plazo estándar del fabricante
6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Orificio pasante TO-92-3
Hoja de datos
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Categoría
Corriente - Corte de colector (Máx.)
50 nA (ICBO)
Fabricante
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
80 a 10mA, 5V
Embalaje
Granel
Potencia - Máx.
625 mW
Estado de pieza
Activo
Frecuencia - Transición
300MHz
Tipo de transistor
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
600 mA
Tipo de montaje
Orificio pasante
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
160 V
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
200mV a 5mA, 50mA
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (2)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleNúmero de pieza de DigiKeyPrecio por unidad Tipo de reemplazo
2N5551Diotec Semiconductor04878-2N5551CT-ND$0.16000Equivalente paramétrico
2N5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.05399-2N5551-ND$0.11000Equivalente paramétrico
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Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.64000$1.64
10$1.03800$10.38
100$0.69370$69.37
500$0.54602$273.01
1,000$0.49852$498.52
2,000$0.45856$917.12
5,000$0.41532$2,076.60
10,000$0.39850$3,985.00
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.