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AOT282L | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | AOT282L-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | AOT282L |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 80 V 18.5A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) TO-220 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 178 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7765 pF @ 40 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm a 20A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK100E08N1S1X-ND | $5.10000 | Similar |
| FDP032N08B-F102 | onsemi | 0 | FDP032N08B-F102-ND | $3.61000 | Similar |
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